অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড ক্রুসিবল ALN অ্যালুমিনিয়াম ক্রুসিবল
পণ্য উপস্থাপন
AlN অ্যালুমিনার তাপ হ্রাস বা অ্যালুমিনার সরাসরি নাইট্রাইড দ্বারা সংশ্লেষিত হয়।এটির ঘনত্ব 3.26 নিবন্ধিত এবং MarkMonitor-3 দ্বারা সুরক্ষিত, যদিও এটি গলে না, বায়ুমণ্ডলে 2500 °C এর উপরে পচে যায়।উপাদানটি সমবায়ীভাবে আবদ্ধ এবং তরল-গঠনকারী সংযোজনের সাহায্য ছাড়াই সিন্টারিং প্রতিরোধ করে।সাধারণত, Y 2 O 3 বা CaO-এর মতো অক্সাইড 1600 থেকে 1900 °C তাপমাত্রায় সিন্টারিং অর্জনের অনুমতি দেয়।
অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড চমৎকার ব্যাপক কর্মক্ষমতা সহ একটি সিরামিক উপাদান, এবং এর গবেষণা একশো বছরেরও বেশি আগে খুঁজে পাওয়া যায়।এটি 1862 সালে পাওয়া F. Birgeler এবং A. Geuhter এর সমন্বয়ে গঠিত, এবং 1877 সালে JW MalletS দ্বারা অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড প্রথমবারের মতো সংশ্লেষিত হয়েছিল, কিন্তু 100 বছরেরও বেশি সময় ধরে এটি কোন ব্যবহারিক ব্যবহার ছিল না, যখন এটি একটি রাসায়নিক সার হিসাবে ব্যবহৃত হয়েছিল। .
কারণ অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড একটি সমযোজী যৌগ, ছোট স্ব-প্রসারণ সহগ এবং উচ্চ গলনাঙ্ক সহ, এটি সিন্টারিং করা কঠিন।এটি 1950 এর দশক পর্যন্ত ছিল না যে অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড সিরামিক প্রথমবারের মতো সফলভাবে উত্পাদিত হয়েছিল এবং বিশুদ্ধ লোহা, অ্যালুমিনিয়াম এবং অ্যালুমিনিয়াম খাদ গলানোর জন্য একটি অবাধ্য উপাদান হিসাবে ব্যবহৃত হয়েছিল।1970 এর দশক থেকে, গবেষণার গভীরতার সাথে, অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইডের প্রস্তুতির প্রক্রিয়াটি ক্রমশ পরিপক্ক হয়ে উঠেছে এবং এর প্রয়োগের সুযোগ প্রসারিত হচ্ছে।বিশেষ করে 21 শতকে প্রবেশ করার পর থেকে, মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স প্রযুক্তির দ্রুত বিকাশের সাথে, ইলেকট্রনিক মেশিন এবং ইলেকট্রনিক উপাদানগুলি ক্ষুদ্রকরণের দিকে, লাইটওয়েট, ইন্টিগ্রেশন এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা এবং উচ্চ শক্তির আউটপুট দিক, তাপ অপচয়ের সাবস্ট্রেট এবং প্যাকেজিং উপকরণগুলির আরও জটিল ডিভাইসগুলি এগিয়ে উচ্চ প্রয়োজনীয়তা, আরও অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড শিল্পের জোরালো উন্নয়ন প্রচার.
প্রধান বৈশিষ্ট্য
AlN বেশিরভাগ গলিত ধাতু, বিশেষ করে অ্যালুমিনিয়াম, লিথিয়াম এবং তামার ক্ষয় প্রতিরোধ করে
এটি ক্লোরাইড এবং ক্রায়োলাইট সহ গলিত লবণের বেশিরভাগ ক্ষয় প্রতিরোধী
সিরামিক পদার্থের উচ্চ তাপ পরিবাহিতা (বেরিলিয়াম অক্সাইডের পরে)
উচ্চ ভলিউম প্রতিরোধ ক্ষমতা
উচ্চ অস্তরক শক্তি
এটি অ্যাসিড এবং ক্ষার দ্বারা ক্ষয়প্রাপ্ত হয়
পাউডার আকারে, এটি সহজেই জল বা আর্দ্রতা আর্দ্রতা দ্বারা hydrolyzed হয়
প্রধান আবেদন
1, piezoelectric ডিভাইস অ্যাপ্লিকেশন
অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইডের উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা, উচ্চ তাপ পরিবাহিতা (Al2O3-এর 8-10 গুণ) এবং সিলিকনের অনুরূপ একটি নিম্ন প্রসারণ গুণাঙ্ক রয়েছে, যা উচ্চ তাপমাত্রা এবং উচ্চ শক্তির ইলেকট্রনিক ডিভাইসের জন্য একটি আদর্শ উপাদান।
2, ইলেকট্রনিক প্যাকেজিং স্তর উপাদান
সাধারণত ব্যবহৃত সিরামিক সাবস্ট্রেট উপাদান হল বেরিলিয়াম অক্সাইড, অ্যালুমিনা, অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড, ইত্যাদি, যেখানে অ্যালুমিনা সিরামিক সাবস্ট্রেটের তাপ পরিবাহিতা কম, তাপ সম্প্রসারণ সহগ সিলিকনের সাথে মেলে না;যদিও বেরিলিয়াম অক্সাইডের চমৎকার বৈশিষ্ট্য রয়েছে, কিন্তু এর পাউডার অত্যন্ত বিষাক্ত।
বিদ্যমান সিরামিক উপকরণগুলির মধ্যে যা সাবস্ট্রেট উপকরণ হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে, সিলিকন নাইট্রাইড সিরামিকের সর্বাধিক নমন শক্তি, ভাল পরিধান প্রতিরোধের, সেরা ব্যাপক যান্ত্রিক কর্মক্ষমতা সহ সিরামিক উপাদান এবং ক্ষুদ্রতম তাপ সম্প্রসারণ সহগ।অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড সিরামিকগুলির উচ্চ তাপ পরিবাহিতা, ভাল তাপীয় প্রভাব প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে এবং উচ্চ তাপমাত্রায় এখনও ভাল যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য রয়েছে।কর্মক্ষমতার পরিপ্রেক্ষিতে, অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড এবং সিলিকন নাইট্রাইড বর্তমানে ইলেকট্রনিক প্যাকেজিং সাবস্ট্রেটের জন্য সবচেয়ে উপযুক্ত উপকরণ, তবে তাদের একটি সাধারণ সমস্যা হল যে দাম খুব বেশি।
3, এবং luminescent উপকরণ প্রয়োগ করা হয়
অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড (AlN) এর প্রত্যক্ষ ব্যান্ডগ্যাপ গ্যাপের সর্বাধিক প্রস্থ হল 6.2 eV, যা পরোক্ষ ব্যান্ডগ্যাপ সেমিকন্ডাক্টরের তুলনায় ফটোইলেকট্রিক রূপান্তর দক্ষতা বেশি।AlN একটি গুরুত্বপূর্ণ নীল আলো এবং UV আলো-নিঃসরণকারী উপাদান হিসাবে, এটি UV / গভীর UV আলো-নির্গত ডায়োড, UV লেজার ডায়োড এবং UV ডিটেক্টরে প্রয়োগ করা হয়।অধিকন্তু, AlN গ্রুপ III নাইট্রাইড যেমন GaN এবং InN এর সাথে ক্রমাগত কঠিন সমাধান তৈরি করতে পারে এবং এর ত্রিনারি বা চতুর্মুখী খাদ ক্রমাগতভাবে এর ব্যান্ড গ্যাপকে দৃশ্যমান থেকে গভীর অতিবেগুনী ব্যান্ডে সামঞ্জস্য করতে পারে, এটি একটি গুরুত্বপূর্ণ উচ্চ-কার্যকারিতা লুমিনেসেন্ট উপাদান তৈরি করে।
4, যা স্তর উপকরণ প্রয়োগ করা হয়
AlN স্ফটিকগুলি GaN, AlGaN পাশাপাশি AlN এপিটাক্সিয়াল উপকরণগুলির জন্য একটি আদর্শ স্তর।নীলকান্তমণি বা SiC সাবস্ট্রেটের সাথে তুলনা করে, AlN-এর GaN-এর সাথে আরও তাপীয় মিল রয়েছে, উচ্চতর রাসায়নিক সামঞ্জস্য রয়েছে এবং সাবস্ট্রেট এবং এপিটাক্সিয়াল স্তরের মধ্যে কম চাপ রয়েছে।অতএব, যখন AlN ক্রিস্টাল একটি GaN এপিটাক্সিয়াল সাবস্ট্রেট হিসাবে ব্যবহার করা হয়, তখন এটি ডিভাইসের ত্রুটির ঘনত্বকে ব্যাপকভাবে হ্রাস করতে পারে, ডিভাইসের কার্যকারিতা উন্নত করতে পারে এবং উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি এবং উচ্চ শক্তি ইলেকট্রনিক তৈরিতে একটি ভাল প্রয়োগের সম্ভাবনা রয়েছে। ডিভাইস
উপরন্তু, উচ্চ অ্যালুমিনিয়াম (Al) উপাদান হিসাবে AlN ক্রিস্টাল সহ AlGaN এপিটাক্সিয়াল উপাদান সাবস্ট্রেট নাইট্রাইড এপিটাক্সিয়াল স্তরের ত্রুটির ঘনত্বকে কার্যকরভাবে কমাতে পারে এবং নাইট্রাইড সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসের কর্মক্ষমতা এবং পরিষেবা জীবনকে ব্যাপকভাবে উন্নত করতে পারে।AlGaN-এর উপর ভিত্তি করে উচ্চ-মানের দৈনিক-অন্ধ ডিটেক্টর সফলভাবে প্রয়োগ করা হয়েছে।
5, সিরামিক এবং অবাধ্য উপকরণ ব্যবহৃত
অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড স্ট্রাকচারাল সিরামিক, প্রস্তুত অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড সিরামিকের sintering প্রয়োগ করা যেতে পারে, শুধুমাত্র ভাল যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্য নয়, ভাঁজ শক্তি Al2O3 এবং BeO সিরামিকের চেয়ে বেশি, উচ্চ কঠোরতা, কিন্তু উচ্চ তাপমাত্রা এবং জারা প্রতিরোধেরও।AlN সিরামিক তাপ প্রতিরোধের এবং জারা প্রতিরোধের ব্যবহার করে, এটি ক্রুসিবল এবং আল বাষ্পীভবন প্লেটের মতো উচ্চ তাপমাত্রার জারা প্রতিরোধী অংশগুলি তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।উপরন্তু, বিশুদ্ধ AlN সিরামিক হল বর্ণহীন স্বচ্ছ স্ফটিক, চমৎকার অপটিক্যাল বৈশিষ্ট্য সহ, এবং স্বচ্ছ সিরামিক তৈরির ইলেকট্রনিক অপটিক্যাল ডিভাইসগুলির জন্য উচ্চ তাপমাত্রার ইনফ্রারেড উইন্ডো এবং তাপ প্রতিরোধী আবরণ হিসাবে ব্যবহার করা যেতে পারে।
6. কম্পোজিট
Epoxy রজন / AlN যৌগিক উপাদান, একটি প্যাকেজিং উপাদান হিসাবে, ভাল তাপ পরিবাহিতা এবং তাপ অপচয় করার ক্ষমতা প্রয়োজন, এবং এই প্রয়োজনীয়তা ক্রমশ কঠোর হচ্ছে।ভাল রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য এবং যান্ত্রিক স্থিতিশীলতা সহ একটি পলিমার উপাদান হিসাবে, ইপোক্সি রজন কম সংকোচনের হার সহ নিরাময় করা সহজ, তবে তাপ পরিবাহিতা বেশি নয়।ইপোক্সি রজনে চমৎকার তাপ পরিবাহিতা সহ AlN ন্যানো পার্টিকেল যোগ করে, তাপ পরিবাহিতা এবং শক্তি কার্যকরভাবে উন্নত করা যেতে পারে।
